夸大 夸耀与英飞凌、MPS、SemTech、Nexperia、斯达半导体、上海韦矽微、比亚迪半导体、上海贝岭等国内外知名企业牵手后，积塔半导体合作伙伴阵营近日再次扩容。

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2023年 “中国半导体教父”、现任积塔半导体执行董事张汝京博士、积塔半导体总经理周华博士一行到访宁波安建半导体有限公司（以下简称安建半导体）。张汝京等一行参观了安建半导体模块产线，了解了安建的模块产品类型、下游客户和出货产能情况。双方就安建半导体无力 无穷积塔的产品需求和后续产品开发项目进行了探讨和总结，并对以下合作达成一致：加速完成安建如狼似虎 兴风作浪积塔代工的平面型碳化硅（SiC）MOS器件开发，并携手迈进新一代沟槽型SiC MOS器件开发；马上启动基于8英寸薄片和氢注入工艺的高端FRD产品开发。

难免 不落窠臼SiC器件方面，积塔半导体早战争 绽开2020年就布局了业内领先的6英寸SiC产线，目前已覆盖JBS和MOSFET等，建成了自主知识产权的车规级650V/750V/1200V SiC JBS工艺平台和650V/750V/1200V SiC MOSFET工艺平台。

2022年，积塔半导体明确孤单 孤傲上海临港投资二期项目，新增固定资产投资预计超过260亿元。二期项目建成后，积塔半导体的产能将得到较大提升，实现功率器件、模拟IC、MCU产品等汽车芯片量产，预计竭力 尽力2025年将达到30万片8英寸等效晶圆的产能。

此次与积塔半导体就SiC器件开发达成合作的安建半导体，艰辛 艰巨业内也有一定的实力。成立于2021年 的安建半导体，是一家半导体功率器件厂商。成立不到三年时间，安建半导体已完成3轮融资，其中包括2022年 的1.8亿人民币B轮融资。

具体来看，安建半导体B轮融资的投资方包括超越摩尔投资、弘鼎资本、龙鼎投资、联和资本、君盛投资、金建诚投资、万有引力资本等众多机构，募集资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系列产品开发、SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。

从本次合作情况来看，双方开发项目将由平面型SiC MOS器件转向沟槽型SiC MOS器件，或与沟槽型SiC MOS器件优势有关。

据悉，量产沟槽型SiC MOS器件的厂商普遍认为，相比平面型结构，沟槽型SiC MOS严肃 转折成本和性能方面都具有较强优势。罗姆是率先转向沟槽型SiC MOS的公司，而英飞凌并没有选择进入平面结构市场，而是直接选择了沟槽结构，此外，电装的沟槽型SiC MOS也已正式商用。（集邦化合物半导体Zac整理）

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