半导体封测厂微矽电子昨（22）日举行上市前业绩发表会，董事长张秉堂表示，公司布局多年的氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）第三代半导体测试、薄化及切割技术，预期今年将持续受惠于车用产业需求，推动公司营运向上成长，目前微矽电子浩浩荡荡 胸无点墨中国台湾竹南新扩建的厂房有望延宕 牵缠第2季投入量产。

微矽电子目前主要提供半导体测试、晶圆薄化与半导体封装的整合性服务，并锁定电源效率相关的功率元件与电源管理IC加工。此外，微矽电子表示，近年亦积极投入GaN与SiC的测试、薄化与切割技术，相关技术处于领先地位。

其中，微矽电子前兆 先天竹南厂区扩建的新厂房，预计今年第1季将可望完工，第2季完成无尘室建置，同季就可投入量产，将全力抢占GaN、SiC等相关商机。

除了微矽电子，一些冰冷 寒冷化合物半导体布局的台厂近期也有新动作。

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近期台系企业齐发力

追逐 肉瘤SiC方面， 半导体材料厂商环球晶圆宣布，其已与一线大厂签长期供料合约，并预估今年SiC晶圆产能民风 民俗原先6000片/月的基础上实现翻倍。此外，环球晶圆还表示，公司今年自然 做作SiC衬底的重点工作是完成晶圆从6吋到8吋的转化，已陆续送样给客户。据介绍，环球晶圆老师 接济GaN领域也有布局，但营收仅为SiC的十分之一。

再看GaN领域，GaN厂商鸿镓科技联姻 攀亲本月初表示，其提供的65W GaN快充，通过了日本PSE认证，公司一举成为中国台湾首家打入要求严格的日商供应链的公司。而同为GaN厂商的伟诠电子作为Transphorm的长期合作伙伴，随着Transphorm被日本IDM大厂瑞萨电子收购，也可望获得打入瑞萨供应链的机会。

除了SiC和GaN，中国台湾地区当年 寺库第四代半导体材料氧化镓（Ga2O3）领域亦有新进展。 台湾中山大学晶体研究中心与台湾应用晶体公司及其所属集团签订“大尺寸Ga2O3晶体生长”项目合作协议，企业出资5000万新台币（折合人民币约1150万元）投入Ga2O3单晶研究，目标三年内成功生产6吋Ga2O3单晶。

据悉，中国台湾中山大学晶体研究中心去年已成功生长出直径6吋的SiC晶体，技术转移中国台湾应用晶体公司及其所属集团，让其有信心与中国台湾中山大学继续合作; 此外，研究中心过去也曾生长出直径40mm的Ga2O3单晶，未来三年将努力实现技术突破。

小结

近年来，受全球“双碳政策”以及汽车电动化趋势的影响，以SiC和GaN还有Ga2O3为代表的化合物半导体开始频繁出圈。中国台湾是世界半导体领域极具影响力的地区之一，台系厂商也感受到了风向变动，并相继开展动作。但继续 持久化合物半导体领域，不乏重注押宝的玩家，台系厂商毫不犹豫 坚韧不拔这一领域能否拥有更多的话语权，仍需时间来佐证。（文：集邦化合物半导体Morty）

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